高純電子級硅溶膠，是指純度在99.999%及以上、直徑為納米級別的二氧化硅顆粒分散在液體介質(zhì)中形成的膠體溶液，主要用來制備二氧化硅CMP漿料，應用在半導體產(chǎn)業(yè)中，實現(xiàn)晶圓化學機械拋光。

普通硅溶膠為納米二氧化硅分散在水或溶劑中，含有較多雜質(zhì)（主要是金屬離子），通常應用在傳統(tǒng)工業(yè)中，例如涂料、載體、催化劑等?；瘜W機械拋光（CMP）利用CMP漿料同時對晶圓表面進行化學腐蝕與機械摩擦來進行拋光，在二氧化硅CMP漿料中，以納米級二氧化硅顆粒為研磨劑。為滿足精密拋光需求，二氧化硅CMP漿料需要采用高純電子級硅溶膠進行制備。

高純電子級硅溶膠制備工藝主要包括溶膠-凝膠法等，制備得到球形固體顆粒、粒度分布均勻、純度高、性質(zhì)穩(wěn)定的產(chǎn)品，上游原材料主要是高純硅源、高純水、分散劑等，下游以高純電子級硅溶膠為主要原料，添加pH值調(diào)節(jié)劑、穩(wěn)定劑等助劑制備得到二氧化硅CMP漿料，用來實現(xiàn)晶圓表面納米級平坦化，去除晶圓表面雜質(zhì)，避免劃痕產(chǎn)生。

與普通硅溶膠相比，高純電子級硅溶膠具有高技術(shù)含量、高產(chǎn)品附加值特點。2024年，全球晶圓代工市場規(guī)模同比增長20%以上，預計未來3年仍將保持快速增長趨勢。中國工業(yè)控制、汽車電子、消費電子等產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展，大陸地區(qū)晶圓代工市場規(guī)模增長速度高于全球平均水平。計算與存儲要求推動下，芯片性能不斷提高，芯片工藝制程不斷縮小。

根據(jù)新思界產(chǎn)業(yè)研究中心發(fā)布的《2025-2029年全球及中國高純電子級硅溶膠行業(yè)研究及十五五規(guī)劃分析報告》顯示，由于晶圓代工市場不斷發(fā)展壯大，芯片工藝制程不斷進步，作為市場主流產(chǎn)品的二氧化硅CMP漿料需求不斷上升，且對主要原材料高純電子級硅溶膠的粒徑、純度等要求不斷提高。受益于此，2024年，全球高純電子級硅溶膠市場規(guī)模約為3.0億美元，預計發(fā)展到2030年將增長至3.9億美元，期間年復合增長率為4.3%。

摘抄自新思界網(wǎng)